Samsung: entwickelt ersten, pfeilschnellen 12nm DDR5 DRAM
Der neue 12-nm-DRAM soll dann auch eine Schlüsselrolle bei der Markteinführung von DDR5 DRAM spielen. Samsung geht davon aus, dass der neue DRAM durch seine starke Performance und die verbesserte Energieeffizienz die Grundlage für einen nachhaltigeren Betrieb in Bereichen wie Next Generation Computing, Rechenzentren und KI-gesteuerten Systemen sein wird. Der neue Technologiesprung wurde durch die Verwendung eines neuen "High-κ-Materials" realisiert, das die Zellkapazität erhöht. Hinzu kommt laut Samsung eine „proprietäre Designtechnologie, die kritische Stromkreis-Charakteristiken verbessert.“ In Kombination mit einer weiterentwickelten, mehrschichtigen ultravioletten (EUV)-Lithografie soll der neue DRAM dann über die gegenwärtig höchste Speicherchip (Die)-Dichte verfügen, mit der dann „die Wafer-Produktivität“ (Halbleiterausgangsmaterial) um 20 Prozent gesteigert werden kann.
Der neue Samsung 12nm DDR5 DRAM ist nicht nur besonders kompakt, sondern auch extrem schnell und verbraucht gleichzeitig aber rund 1/4 weniger Energie.
Die neuen Samsung DRAMs der 12-nm-Klasse nutzen den aktuellsten DDR5-Standard und ermöglichen damit Geschwindigkeiten von bis zu 7,2 Gigabit pro Sekunde (Gbps). Dies entspricht in etwa der Verarbeitung von zwei 30 Gigabyte (GB) UHD-Filmen in nur einer Sekunde. Dabei verbrauchen die DRAMs der 12-nm-Klasse trotzdem bis zu 23 Prozent weniger Strom als bisherige Arbeitsspeicher. Start der Massenproduktion des neuen Arbeitsspeichers soll noch 2023 sein, wobei Samsung sein 12-nm-DRAM Line-up dann auf verschiedene Marktsegmente ausdehnen möchte. Geplant ist darüber hinaus weiterhin „die Zusammenarbeit mit Industriepartnern, um die rasante Expansion von Next Generation Computing zu unterstützen“. Eine Evaluation zur AMD-Kompatibilität wurde etwa bereits abgeschlossen.
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